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二氧化钒纳米点阵的制备及其红外光学特性研究

严梦 , 李毅 , 方宝英 , 梁倩 , 丁杰 , 王锋 , 覃源 , 佟国香 , 王晓华

稀有金属材料与工程

为了得到相变温度低且变色性能优越的光学材料,使其能够广泛应用于智能窗领域,对周期结构VO2纳米点阵的相变和光学特性展开了研究.用修正的Sellmeier色散模型结合二维点阵周期结构的等效折射率计算了VO2纳米点阵在不同占空比下的反射率和透射率.利用多孔氧化铝模板掩膜溅射法,先在玻璃上制备钒金属纳米点阵,再经热氧化工艺制备出VO2纳米点阵,测试其表面形貌、组分结构、红外反射和透射谱线.结果表明,占空比为0.83的纳米点阵其相变温度有效降低至43℃,在1700 nm处透射率改变量达到29%,表现出良好的变色特性,且透射率整体高于VO2薄膜.说明通过制备较佳占空比的纳米点阵可以有效降低材料的相变温度,提升材料的热致变色性能.

关键词: VO2 , 纳米点阵 , 热致变色 , 薄膜 , 相变

二氧化钒的相变机理研究进展

徐凯 , 路远 , 凌永顺 , 乔亚 , 唐聪

材料科学与工程学报

VO2具有在68℃左右低温半导体态-高温金属态(SMT)可逆相变的特性,在光电开关、光调制和存储方面有广泛的应用前景.本文总结了目前VO2相变理论研究中有代表性的成果.结合一般固态相变分类理论,微观上从VO2的晶胞结构、价带杂化、主宰方式等方面,宏观上从热力学函数等方面,综述了目前对VO2相变类型与机理分析的主流观点,综述结果对今后的研究工作具有一定的指导意义.

关键词: VO2 , 相变类型 , 相变机理 , 晶体结构 , 价带杂化

VO2/FTO复合薄膜的制备及其光电特性研究

郑鸿柱 , 李毅 , 陈少娟 , 陈建坤 , 袁文瑞 , 孙瑶 , 唐佳茵 , 刘飞 , 郝如龙

稀有金属

采用直流磁控溅射法在掺氟的SnO2 (FTO)导电玻璃衬底上沉积纯钒金属薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火制备VO2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构、光学特性以及电学特性进行了测试分析.结果表明,薄膜结晶程度较高,表面平滑致密,具有很好的一致性,导电玻璃上的FTO并没有改变VO2择优取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征.与VO2薄膜的典型相变温度68℃相比,VO2/FTO复合薄膜的相变温度降低约20℃,热滞回线收窄到5℃,相变前后的红外透过率分别为45%和22%,相变前后电阻率的变化达3个数量级,VO2/FTO复合薄膜优良的光电特性对新型光电薄膜器件的设计开发和应用具有重要意义.

关键词: VO2 , FTO , 氮氧混合 , 热致变色 , 光电特性

脉冲激光辐射下VO2薄膜的光限幅性能

田野 , 罗飞 , 刘大博 , 祁洪飞 , 陈冬生 , 罗炳威 , 周海涛 , 麦克瓦尔·里兹柯夫

航空材料学报 doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.000211

采用反应溅射和后续退火工艺,在石英衬底上制备具有热致相变特性的VO2薄膜,并对薄膜的光学性能进行表征.研究发现:在弱光辐射下,随着温度的改变,薄膜的透射率在可见及近红外光区会发生显著变化,具有良好的相变光开关特性;在强光辐射下,制备的VO2薄膜同样具有良好的红外光调制深度;当脉冲激光波长为1064 nm时,随着脉冲能量的逐渐增强,薄膜的表面反射率逐渐降低,光限幅性能呈现出先升高再降低的趋势,其透射率最低可降至7%,薄膜的脉冲激光损伤阈值约为50 mJ/cm2.

关键词: VO2 , 热致相变 , 激光防护

由工业V2O5制取VO2薄膜

杨绍利 , 徐楚韶 , 陈厚生 , 胡再勇

钢铁钒钛 doi:10.3969/j.issn.1004-7638.2002.02.002

以工业V2O5为原料,采用N2热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2薄膜,在自制的电阻-温度测量装置上测量VO2薄膜的电阻随温度的变化.结果表明:VO2薄膜具有明显电阻突变特性,其相变达到了1.5~2.0个数量级,相变温度约为35 ℃;VO2薄膜的主要成分是二氧化钒,同时含有少量其它的钒化合物.

关键词: V2O5 , VO2 , 薄膜 , 热分解 , M-S相变

单相VO2薄膜的制备及显微组织分析

乔威 , 李智东 , 赵昆渝 , 李林德 , 孟召标

钢铁钒钛 doi:10.3969/j.issn.1004-7638.2007.02.011

以V2O4粉末为原料,采用无机溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了V2O5干凝胶膜.通过两种退火工艺成功制备出了单相VO2薄膜,并对其物相和显微组织进行了分析.

关键词: VO2 , 薄膜 , V2O4 , 无机溶胶-凝胶法

微波等离子体低温制备氮杂二氧化钒薄膜

陈金民 , 黄志良 , 刘羽 , 王升高

功能材料

选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,在低温条件下,成功制备了氮杂二氧化钒薄膜.通过X射线衍射(XRD),FT-IR对样品进行表征,结果表明:合成的样品为多晶氮杂二氧化钒.相变温度测试结果表明:退火工艺可以降低相变温度,同时提高薄膜的结晶度;改变氮气流量,相变温度先降低后升高,当氮气流量为20ml/min时,相变温度可以降低至40℃.

关键词: 微波等离子体 , VO2 , 氮杂二氧化钒 , 相变温度

热致VO2薄膜在激光防护方面的应用研究

金良茂 , 彭寿 , 王芸 , 甘治平 , 王东

材料导报

VO2是一种固态热致变色材料,它的晶态结构可以在半导体-金属-绝缘体之间可逆转变.介绍了VO2的相变特性,研究了氧化钒的相变机理.根据激光对光电探测器的损伤机理,研究了氧化钒薄膜对激光的智能防护,并对其进行了计算和分析.结果表明,当一束激光照射VO2薄膜防护的探测器时,VO2薄膜可以在激光对探测器造成损伤之前完成相变,从而保护探测器,因此可用于探测器针对强激光的智能防护.

关键词: VO2 , 相变 , 激光 , 防护

MoO3含量对VO2薄膜电阻率变化的影响

马兰 , 杨绍利 , 高仕忠

功能材料

研究了掺入MoO3时VO2薄膜电阻率的变化;建立了VO2薄膜电阻率突变数量级S随杂质含量变化的数学模型,进行了理论计算及与实测值的对比.结果表明,S随MoO3掺入量的增大而减小,采用该数学模型可以很好地预测S值的大小.

关键词: VO2 , 薄膜 , 电阻率变化 , 杂质

多种杂质对VO2薄膜电阻突变性能的影响

马兰 , 杨绍利 , 高仕忠

材料导报

理论上计算了VO2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO2薄膜晶体中键长的影响,研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子时VO2晶体点阵常数和键长的影响.结果表明,杂质使VO2薄膜晶体中的键长伸长,点阵常数增大,晶体结构稳定性降低,电阻突变温度降低,电阻突变数量级减小.

关键词: VO2 , 薄膜 , 电阻突变性能 , 杂质 , 点阵常数

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